MOS管STN2610 參數(shù) **0V 50A 應(yīng)用于電子測(cè)量?jī)x器 原廠庫(kù)存足 交貨快

時(shí)間：2020-03-26作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：226

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  詞條說(shuō)明

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  STANSON 原廠STN4438替代ME4436、Si4436DY、SM6029NSK描述STN4438是N溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過(guò)程是特別定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，如電源管理和其他高側(cè)開(kāi)關(guān)的電池供電電路。特征60V / 8.2A，RDS（ON）= 25毫歐（典型值）@ VGS = 10V60V / 7.6A

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  STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459描述stp4435是P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯它是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過(guò)程是特別定制，以

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  STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442描述STN442D使用溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設(shè)備是適合作為負(fù)載開(kāi)關(guān)或在應(yīng)用程序使用。特征60V / 20.0a，RDS（上）= 24mΩ（典型值@ VGS = 10V60V / 20.0a，RDS（上）= 31mΩ@ VGS = 4.5V**高密度電池設(shè)計(jì)較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力TO-2