GD32F103RCT6 RBT6 RET6 R8T6 C8T6 VCT6 VET6 CBT6 MCU芯片 全新原裝

時(shí)間：2021-08-23作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：252

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  詞條說明

• 全新原裝AO3407 貼片SOT23-3 30V 4.1A P溝道 MOS場效應(yīng)管

  AO3407采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS(ON)。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。 AO3407 規(guī)格信息： 包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶 系列- 零件狀態(tài)有源 FET 類型P 通道 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）4.1A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V 不同Id，Vgs

• 供應(yīng) 全新原裝DSP2a-DC24V,DSP2a-DC12V,DSP1a-DC12V繼電器

  功能1。即使采用小型10mm.394英寸(H)x11mm.433英寸(W)x20mm.787英寸(L)（尺寸、大容量開關(guān)：1a、8A250VAC；2a和1a1b、5A250VAC。 2.高開關(guān)能力高接觸壓力、低接觸彈跳和擦擦操作提高了焊縫的阻力。耐燈具負(fù)荷和介電負(fù)載：1a最大開關(guān)容量為2000VA（8A250VAC） 3.使用與DS繼電器相同類型的高性能極性磁性電路，通過將彈簧負(fù)載與吸引的磁力相匹

• KSH122TM TO252 三極管 全新原裝

  KSH122/KSH122INPN硅達(dá)靈頓晶體管 功能D-PAK表面安裝應(yīng)用高直流電流增益122內(nèi)置阻尼器二極管E-C鉛形成為表面安裝應(yīng)用（無后綴）直鉛(I-PAK，“I”后綴)電類似流行TIP122補(bǔ)充KSH127開關(guān)調(diào)節(jié)器轉(zhuǎn)換器電源放大器訂購信息部分編號(hào)頂部標(biāo)記包包裝方法KSH122TFKSH122TO-2523L(DPAK)和卷帶KSH122TMKSH122到-2523L(DPAK)卷帶KS

• 英飛凌mos管原裝IPA80R600P7XKSA1**N溝道功率場效應(yīng)

  MOSFET 800V、CoolMOSa、P7、功率晶體管 最新的800V CoolMOS?P7系列設(shè)置了一個(gè)新的基準(zhǔn)，采用800V 超級(jí)、連接、技術(shù)和結(jié)合了一流的性能和 英飛凌18年來最先進(jìn)的易用性 開拓性、超級(jí)、交叉、技術(shù)、創(chuàng)新。 特征 ?同類最佳 FOM  RDS（on）* EOS；減少的、Qg、Ciss和Coss ?“同類最佳”、DPAK、RDS（on） ?“同類最佳”、3V的V