國芯思辰｜拍字節(jié)低功耗FRAM PB85RS128C助力血糖儀設(shè)計，供電電壓2.7V~3.6V

時間：2022-11-04作者：國芯思辰（深圳）科技有限公司瀏覽：236

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• 國芯思辰｜優(yōu)晶N溝道MOSFET YC40N04BDE?用于PCR儀TEC控制，滿足項目性能需求

  YC40N04BDE是優(yōu)晶的N溝道MOSFET，該芯片具有小尺寸、低壓大電流等特點，廣泛應(yīng)用在DC/DC轉(zhuǎn)換、服務(wù)器的板載電源以及同步整流線路中。某工程師在PCR項目TEC控制部分需要用到4個N溝道場效應(yīng)管來控制TEC，該工程師想要了解一些國產(chǎn)廠牌的MOS，因此國芯思辰給其介紹了優(yōu)晶的N溝道場效應(yīng)管YC40N04BDE。YC40N04BDE具有以下特點：1、采用溝槽型功率中壓MOSFET技術(shù)，VD

• 國芯思辰 | 雙通道12位ADC SC1232可用于光纖測試儀

  光纖測試儀是測量光纖的損耗、色散等特性。光纖信號一般要先通過一級的光電轉(zhuǎn)換，將光信號轉(zhuǎn)化為電流信號，電流信號通過跨導(dǎo)放大器轉(zhuǎn)化為電壓信號，部分光纖測試系統(tǒng)中，電壓信號帶寬一般在10M~30M之間，在此方案設(shè)計中，國芯思辰某工程師需要一顆12位以上的ADC，較終選擇了國產(chǎn)芯熾雙通道12位SC1232-65應(yīng)用在了光纖測試儀。芯熾SC1232是一款單芯片、雙通道、12位ADC，支持20MSPS/40M

• 國芯思辰｜基本半導(dǎo)體650V碳化硅肖特基二極管B2D30065HC1可替代C3D30065D用于5G微基站電源

  *5代通信技術(shù)5G頻率越高，穿透和繞射能力會相對下降，信號智能直射傳播，很多偏僻地方就會收不到信號，微基站很好彌補了這項缺陷。微基站是一種從產(chǎn)品形態(tài)、**功率、覆蓋范圍等方面都相比傳統(tǒng)宏站小得多的低功率基站設(shè)備。微基站電源應(yīng)用場景包括直流遠(yuǎn)供電源、光電一體箱供電、太陽能模塊供電、智慧路燈電源等。由上圖可以看出，此款電源設(shè)備主要由4個單元組成，其中通信模塊和開關(guān)電源部分決定了5G微基站運行的可靠性。

• 國芯思辰｜基本半導(dǎo)體碳化硅肖特基二極管B2D30120HC1可pin to pin替換科銳C4D30120D

  SiC肖特基二極管具有零反向恢復(fù)電流和零正向恢復(fù)電壓，散熱要求低，是高頻和高效率應(yīng)用的理想選擇。目前市場上以選用WOLFSPEED的碳化硅為主，但由于各種因素，許多工程師正在尋求替代器件。本文重點提到基本半導(dǎo)體的B2D30120HC1，該器件可pin-to-pin替代C4D30120D，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)和引腳定義基本一致，B2D30120HC1和C4D30120D的參數(shù)對比：●由上圖可知，二者的反向重復(fù)