可控硅模塊

時(shí)間：2021-04-16作者：上海秦邦電子科技有限公司瀏覽：264

上海秦邦電子科技有限公司專注于可控硅模塊,英飛凌IGBT模塊,二極管模塊,整流橋模塊,熔斷器保險(xiǎn)絲,進(jìn)口晶閘管,德國(guó)西門康可控硅等, 歡迎致電 15995613456

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 【二極管模塊】二極管的檢測(cè)方法

  小功率晶體二極管1.?判別正、負(fù)電極（1）觀察外殼上的符號(hào)標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號(hào)，帶有三角形箭頭的一端為正極，另一端是負(fù)極。（2）觀察外殼上的色點(diǎn)。在點(diǎn)接觸二極管的外殼上，通常標(biāo)有極性色點(diǎn)(白色或紅色)。一般標(biāo)有色點(diǎn)的一端即為正極。還有的二極管上標(biāo)有色環(huán)，帶色環(huán)的一端則為負(fù)極。（3）以阻值較小的一次測(cè)量為準(zhǔn)，黑表筆所接的一端為正極，紅表筆所接的一端則為負(fù)極。(d)觀察

• 英飛凌IGBT模塊檢測(cè)方法

  英飛凌IGBT模塊檢測(cè)方法 ：測(cè)試方式：用萬(wàn)用表只能測(cè)量，但不全面，若IGBT損壞一般可以測(cè)量出來(lái)，但是，若IGBT是好的，它無(wú)法肯定是好的。IGBT損壞標(biāo)準(zhǔn)：GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù)，即為損壞。（GE表示G接正表筆，E接負(fù)表筆；其它類同）IGBT的EC之間接有二極管，所以為導(dǎo)通狀態(tài)，電壓為0.34V左右。若想完整測(cè)試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1

• 晶閘管的工作原理與應(yīng)用

  1 晶閘管(SCR)晶閘管簡(jiǎn)稱晶閘管，又稱可控硅整流元件(SCR),是由三個(gè)PN一種由結(jié)構(gòu)組成的大功率半導(dǎo)體設(shè)備。在性能方面，晶閘管不僅具有單向?qū)щ娦?，而且比硅整流元件具有較有**的可控性。它只有兩種狀態(tài)：導(dǎo)電和關(guān)閉。晶閘管有許多優(yōu)點(diǎn)，如：小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)數(shù)十萬(wàn)倍；反應(yīng)快，微秒內(nèi)開(kāi)關(guān)；無(wú)接觸操作，無(wú)火花，無(wú)噪音；效率高，成本低。因此，特別是在大功率方面UPS晶閘管廣泛應(yīng)用于整流電

• 【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理

  IGBT原理方法IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高