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詞條說明
IGBT全稱是絕緣柵雙極型晶體管,是由MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)和BIT(雙極型三極管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)型電力電子器件,本質(zhì)上是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個(gè)P型層。想了解更多工業(yè)電路板、電梯電路板、變頻器相關(guān)知識(shí)請(qǐng)關(guān)注“從零開始變頻器維修”。功率模塊的好壞判斷主要是對(duì)功率模塊內(nèi)的續(xù)流二極管的判斷。對(duì)于IGBT模塊還需判斷在有觸發(fā)電壓的情況下能否正常導(dǎo)通和關(guān)斷。將數(shù)字萬用表
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IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 13128707396
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地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
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