cmoswafer降級晶片轉(zhuǎn)讓

時間：2023-04-24作者：龐博電子有限公司（中國香港）瀏覽：117

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  詞條說明

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  碎晶片次品芯片貴金屬回收次品芯片 次品芯片 次品芯片 下表表示恒壓驅(qū)動電路在低速時，對單較與雙較驅(qū)動工作效率的比較。電流與線圈匝數(shù)之積稱為安匝，與轉(zhuǎn)矩成正比，兩者如轉(zhuǎn)速相同，輸出功率也與其有比例關(guān)系。由于低速時，電抗小，電抗如果忽略不計，V/R即為電流，與N之積VN/R變成安匝數(shù)。同樣，雙較電流為V/2R，匝數(shù)也為2N，此積與單較情形相同為VN/R。輸入恒壓驅(qū)動的情形，雙較與單較比較，如下表所示，

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  碎晶片不良芯片IC回收不良芯片 不良芯片 不良芯片 電動機的功率為30kW，由式Ie=(PM×103)/(K×UN)，有Ie=(30×1000)/(1.25×380)≈63.2A，故取交流接觸器的額定電流為63A。需要指出的是：接觸器的額定通斷能力應(yīng)當(dāng)**通斷時電路中可能出現(xiàn)的電流值，而接觸器耐受過載電流的能力則應(yīng)當(dāng)**電路中可能出現(xiàn)的過載電流值。由于電路中這些數(shù)據(jù)均可以通過使用類別和工作制來確定