磁控濺射鍍膜設(shè)備的優(yōu)點和缺點有哪些？

時間：2021-11-09作者：廣東振華科技股份有限公司廣東廣州分公司瀏覽：868

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  詞條說明

• 立式濺射鍍膜設(shè)備的優(yōu)勢及應(yīng)用行業(yè)

  立式濺射鍍膜設(shè)備的特點： 1、在真空條件下制備鍍膜環(huán)境清潔，膜層不易受污染，可獲得致密性好，純度高，膜層厚度均勻，易于控制的涂層。 2、膜材的基體材料有廣泛的選擇性，可制備各種不同的功能性涂層。 3、膜的附著強(qiáng)度高，膜層十分牢固，不易脫落。 4、在工藝過程中不產(chǎn)生廢液，減少環(huán)境污染，減少對人體有害的金屬物體，較大程度上實現(xiàn)綠色環(huán)保生產(chǎn)。其中之一的汽車行業(yè) 該設(shè)備的設(shè)計為立式雙門的結(jié)構(gòu)，是一款直流磁

• 真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的技術(shù)特點有哪些？

  真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的技術(shù)特點 真空磁控濺射鍍膜特別適用于反應(yīng)沉積鍍膜，實際上，這種工藝可以沉積任何氧化物、碳化物以及氮化物材料的薄膜。此外，該工藝也特別適合用于多層膜結(jié)構(gòu)的沉積，包括了光學(xué)設(shè)計、彩色膜、耐磨涂層、納米層壓板、**晶格鍍膜、絕緣膜等。早在1970年，已經(jīng)有了高質(zhì)量的光學(xué)薄膜沉積案例，開發(fā)了多種光學(xué)膜層材料。這些材料包括有透明導(dǎo)電材料、半導(dǎo)體、聚合物、氧化物、碳化物以及氮化物等，至于氟

• 影響磁控濺射中靶中毒的因素有哪些？

  一、靶面金屬化合物的形成由金屬靶面通過反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則該化學(xué)反應(yīng)無法繼續(xù)進(jìn)行。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以化學(xué)反應(yīng)必須在一個固體表面進(jìn)行。反應(yīng)濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行。在基片表面生成化合物是我們的目的，在其

• 真空鍍膜設(shè)備的環(huán)境要求

  ? ? ? ? ? 由于真空鍍膜設(shè)備要在真空條件下工作，因此該設(shè)備要滿足真空對環(huán)境的要求。我國制減定的各類真空鍍膜設(shè)備的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(包括真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件、真空離子鍍膜設(shè)備、真空濺射鍍膜設(shè)備、真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備)都對環(huán)境要求作了明確規(guī)定。只有滿足了真空鍍膜設(shè)備對環(huán)境的要求，才能使該設(shè)備正常運轉(zhuǎn)，加上正確的鍍膜工藝，方能生產(chǎn)出合格的鍍膜產(chǎn)品。真空對