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1.1 失效和失效分析 產品喪失規(guī)定的功能稱為失效。判斷失效的模式,查找失效原因和機理,提出預防再失效的對策的技術活動和管理活動稱為失效分析。 1.2 失效和事故 失效與事故是緊密相關的兩個范疇,事故強調的是后果,即造成的損失和危害,而失效強調的是機械產品本身的功能狀態(tài)。失效和事故常常有一定的因果關系,但兩者沒有必然的聯(lián)系。 1.3 失效和可靠 失效是可靠的反義詞。機電產品的可靠度R(t)是指時間
微電子失效分析方法總結 失效分析 趙工 1 、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),無損檢查:1.材料內部的晶格結構,雜質顆粒.夾雜物.沉淀物.2. 內部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 2 、X-Ray(這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段),德國Fein 微焦點Xray用途:半導體BGA,線路板等內部位移的分析 ;利于判別空焊,虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù):標準檢測分
失效分析技術,失效分析實驗室,失效機制是導致零件、元器件和材料失效的物理或化學過程。此過程的誘發(fā)因素有內部的和外部的。在研究失效機制時,通常先從外部誘發(fā)因素和失效表現(xiàn)形式入手,進而再研究較隱蔽的內在因素。在研究批量性失效規(guī)律時,常用數(shù)理統(tǒng)計方法,構成表示失效機制、失效方式或失效部位與失效頻度、失效百分比或失效經濟損失之間關系的排列圖或帕雷托圖,以找出必須首先解決的主要失效機制、方位和部位。任一產品
儀準科技有限公司是一家專業(yè)的半導體分析設備的整合商,產品涵蓋半導體、LCD (TFT)、LED、太陽能等高科技領域。 近年來,金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)已經成為切換電源的主要功率元件,從場效應晶體管 (FET)、雙極性結式晶體管(BJT)、MOSFET、到絕緣閘較雙較晶體管(IGBT),現(xiàn)在出現(xiàn)了氮化鎵(GaN),可讓切換電源的體積大幅縮小。 例如,納微半導體(Navitas)推出
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