KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應(yīng)用

時間：2024-01-12作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司瀏覽：116

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• KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜

  硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉(zhuǎn)換效率低和由 S-W 效應(yīng)引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導(dǎo)率、較高載流子遷移的電學(xué)性質(zhì)及優(yōu)良的光學(xué)穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn).?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應(yīng)的尾氣處理裝置, 有利于降低設(shè)備成本, 且工藝參數(shù)控制, 因此經(jīng)過

• KRI 離子源用于UVC人機(jī)共存紫外濾光片鍍膜

  ? ?? ?紫外濾光片是一種光學(xué)元件, 通過使用分散在玻璃材料表面的光學(xué)薄膜控制入射光通過膜層后不同波長光的透反比. 222nm是紫外不可避免的一個波段, 因?yàn)槠渖矬w透過率低, 被譽(yù)為對人體的紫外線.222nm遠(yuǎn)紫外產(chǎn)品一定程度上解決了傳統(tǒng)紫外線不能直接照射人體的痛點(diǎn)問題, 兼顧了功能性和性, 實(shí)現(xiàn)了人機(jī)友好共存, 有效減少和滅殺身體表面多達(dá)99.9%的細(xì)

• KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備

  ??紅外截止濾光片?(IRCF)?是利用精密光學(xué)鍍膜技術(shù)在光學(xué)基片上交替鍍上高低折射率的光學(xué)膜,?實(shí)現(xiàn)可見光區(qū)（400nm-630nm）高透,?近紅外（700nm-1100nm）截止的光學(xué)濾光片,?主要應(yīng)用于可拍照手機(jī)攝像頭、電腦內(nèi)置攝像頭、汽車攝像頭和安防攝像頭等數(shù)碼成像領(lǐng)域,?用于紅外光線對?CCD/CM

• 美國 HVA 真空閥門選型

  上海伯東美國?HVA 真空閥門選型實(shí)例產(chǎn)品系列特點(diǎn)口徑HVA 真空閘閥 11000 系列介面, 控制方式全包括DN 16 到 DN 600HVA 真空層流閘閥 13000系列防腐蝕DN 40 到 DN 300HVA 真空層流閘閥 16000系列防顆粒污染DN 40 到 DN 350HVA 矩形閥 21200 系列長使用壽命DN 16 到 DN 300HVA 3位真空閘閥 21700系列