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美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應(yīng)用
上海伯東美國?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計(jì)提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護(hù), 安裝于各類真空設(shè)備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機(jī), lo
KRi 大面積射頻離子源應(yīng)用于 12英寸,8英寸 IBE 離子束蝕刻系統(tǒng)
上海伯東美國?KRi 考夫曼公司大面積射頻離子源? RFICP 380, RFICP 220 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸 IBE? 離子束蝕刻機(jī), 刻蝕均勻性(1 σ)達(dá)到< 1%. 可以用來刻蝕任何固體材料, 包括金屬, 合金, 氧化物, 化合物, 混合材料, 半導(dǎo)體, 絕緣體, 導(dǎo)體等.離子束刻蝕屬于干法刻蝕, 其部件為大面積離子源. 作為蝕刻機(jī)的部件,
HVA 真空閥門 11000 用在 OLED 鍍膜機(jī)
國內(nèi)某?OLED?鍍膜機(jī)廠家配置伯東美國?HVA?真空閥門?11000?系列,尺寸以?4”, 6”, 8”閥門口徑為主的標(biāo)準(zhǔn)不銹鋼氣動高真空閘閥,?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)規(guī)格:??閥門材質(zhì):?-?閥門主體?304&
Pfeiffer?分子泵組應(yīng)用于紅外原位分析平臺紅外原位瞬態(tài)反應(yīng)過程分析實(shí)驗(yàn)平臺是與世界實(shí)驗(yàn)室同步水平研究的變溫變壓綜合實(shí)驗(yàn)設(shè)備, 由原位吸附高真空系統(tǒng), 低溫系統(tǒng), 氣液物料, 探針凈化控制系統(tǒng)和壓力突變等部件組成, 可用于開展樣品的熱脫附, 熱解, 探針分子飽和吸附和探針分子脈沖微吸附等復(fù)雜反應(yīng)過程研究.紅外原位分析平臺的主要特點(diǎn)是對固體材料進(jìn)行嚴(yán)格的高真空和高溫預(yù)處理, 可在高真空
公司名: 伯東企業(yè)(上海)有限公司
聯(lián)系人: 葉南晶
電 話: 021-50463511
手 機(jī): 13918837267
微 信: 13918837267
地 址: 上海浦東高橋上海浦東新區(qū)新金橋路1888號36號樓7樓702室
郵 編:
網(wǎng) 址: hakuto2010.cn.b2b168.com
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