芯片測試方法匯總

時(shí)間：2020-03-20作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：145

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• 詞條

  詞條說明

• 失效分析fib

  失效分析fib 1.IC芯片電路修改 用FIB對芯片電路進(jìn)行物理修改可使芯片設(shè)計(jì)者對芯片問題處作針對性的測試,以便較快較準(zhǔn)確的驗(yàn)證設(shè)計(jì)方案。 若芯片部份區(qū)域有問題,可通過FIB對此區(qū)域隔離或改正此區(qū)域功能,以便找到問題的癥結(jié)。 FIB還能在較終產(chǎn)品量產(chǎn)之前提供部分樣片和工程片,利用這些樣片能加速終端產(chǎn)品的上市時(shí)間。利用FIB修改芯片可以減少不成功的設(shè)計(jì)方案修改次數(shù)，縮短研發(fā)時(shí)間和周期。 2.Cro

• 芯片行業(yè)的困境

  芯片行業(yè)的困境 過去幾十年，在摩爾定律的指導(dǎo)下，芯片中的晶體管數(shù)量大約每兩年翻一番。晶體管的微縮技術(shù)革新增加了晶體管的密度。摩爾定律在20世紀(jì)60年代**被發(fā)現(xiàn)，并一直延續(xù)到2010年代，至此以后，晶體管密度的發(fā)展開始放緩。如今，主流芯片包含了數(shù)十億個(gè)晶體管，但如果摩爾定律能夠繼續(xù)按照當(dāng)時(shí)的速度發(fā)展下去，它們的晶體管數(shù)量將是現(xiàn)在的15倍。 每一代晶體管密度的增加，被稱為“節(jié)點(diǎn)”。每個(gè)節(jié)點(diǎn)對應(yīng)于晶體

• 芯片分析方法

  1.OM 顯微鏡觀測，外觀分析 2.C-SAM（超聲波掃描顯微鏡） （1）材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒，夾雜物，沉淀物， （2） 內(nèi)部裂紋。（3）分層缺陷。（4）空洞，氣泡，空隙等。 3. X－Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接，開路、短路或不正常連接的缺陷，封裝中的錫球完整性。（這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性

• 芯片測試現(xiàn)狀分析

  失效分析就是要分析損壞的產(chǎn)品從而為改進(jìn)設(shè)計(jì)或明確責(zé)任提供素材的工作。但是從行業(yè)來看，目前很多公司特別是中小型公司的失效分析做的并不好。 中國有句俗話叫：“吃一塹，長一智”，《論語》中也有“**過”的說法。其本質(zhì)就是要從失敗中吸取教訓(xùn)避免進(jìn)一步的犯錯(cuò)。 一方面，一些中小型電子產(chǎn)品生產(chǎn)商沒有良好的物料控制體系，不能對物料進(jìn)行有效的追溯。一旦出了問題，很難查到當(dāng)年的渠道和來源。甚至不能保證物料的真?zhèn)巍］^