詞條
詞條說(shuō)明
典型失效分析流程失效分析 一、失效分析簡(jiǎn)述 失效分析是一門新興發(fā)展中的學(xué)科,在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開(kāi)發(fā)、改進(jìn),產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義。 二、開(kāi)展失效分析的意義 失效分析對(duì)產(chǎn)品的生產(chǎn)和使用都具有重要的意義,失效可能發(fā)生在產(chǎn)品壽命周期的各個(gè)階段,涉及產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)、來(lái)料檢驗(yàn)、加工組裝、測(cè)試篩選、客戶端使用等各個(gè)環(huán)節(jié),通過(guò)分析工藝廢次品、早期失效、試驗(yàn)失效、中試失效以及現(xiàn)場(chǎng)失效的樣
芯片失效分析檢測(cè)方法匯總 失效分析 趙工 1 、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),無(wú)損檢查:1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒.夾雜物.沉淀物.2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國(guó) 2 、X-Ray(這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段),德國(guó)Fein 微焦點(diǎn)Xray用途:半導(dǎo)體BGA,線路板等內(nèi)部位移的分析 ;利于判別空焊,虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù):標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)
《晶柱切片后處理》 硅晶柱長(zhǎng)成后,整個(gè)晶圓的制作才到了一半,接下必須將晶柱做裁切與檢測(cè),裁切掉頭尾的晶棒將會(huì)進(jìn)行外徑研磨、切片等一連串的處理,最后才能成為一片片價(jià)值非凡的晶圓,以下將對(duì)晶柱的后處理制程做介紹。 切片(Slicing) 長(zhǎng)久以來(lái)經(jīng)援切片都是采用內(nèi)徑鋸,其鋸片是一環(huán)狀薄葉片,內(nèi)徑邊緣鑲有鉆石顆粒,晶棒在切片前預(yù)先黏貼一石墨板,不僅有利于切片的夾持,更可以避免在最后切斷階段時(shí)鋸片離開(kāi)晶棒
在北京地區(qū)注冊(cè),具有獨(dú)立法人資格,在職正式職工不多于100人,營(yíng)業(yè)收入1000萬(wàn)元以下,注冊(cè)資金不**2000萬(wàn)元,具有健全的財(cái)務(wù)機(jī)構(gòu),管理規(guī)范,無(wú)不良誠(chéng)信記錄; 每年度符合補(bǔ)貼要求的業(yè)務(wù)合同金額在 10萬(wàn)元及以下的部分按照較高不**過(guò)90%的比例核定; **過(guò)10萬(wàn)元至50萬(wàn)元的部分按照較高不**過(guò)60%的比例核定; **過(guò)50萬(wàn)元至100萬(wàn)元的部分按照較高不**過(guò)30%的比例核定; **過(guò)100萬(wàn)元以上的
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備

激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝

開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線

聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析

超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析

電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡

EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光發(fā)射顯微鏡

IV曲線測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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